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長春應化所在全高分子太陽能電池領(lǐng)域取得系列進展

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長春應化所在全高分子太陽能電池領(lǐng)域取得系列進展

摘要: 　　在光能轉(zhuǎn)化為電能方面，全高分子太陽能電池采用p型高分子半導體（給體）和n型高分子半導體（受體）的共混物作為活性層，與傳統(tǒng)的無機太陽能電池相比，具有柔性、成本低、重量輕的突出優(yōu)點，已成為太陽能電池學習 ...

　　在光能轉(zhuǎn)化為電能方面，全高分子太陽能電池采用p型高分子半導體（給體）和n型高分子半導體（受體）的共混物作為活性層，與傳統(tǒng)的無機太陽能電池相比，具有柔性、成本低、重量輕的突出優(yōu)點，已成為太陽能電池學習的重要方向之一。但是，n型高分子半導體的種類和數(shù)量遠遠少于p型高分子半導體，因此開發(fā)n型高分子半導體材料是發(fā)展全高分子太陽能電池的核心。
　　中國科學院長春應用化學學習所高分子物理與化學國家重點實驗室劉俊課題組，提出采用硼氮配位鍵(B←N)降低共軛高分子的LUMO/HOMO能級，發(fā)展n型高分子半導體的策略，并發(fā)展出兩類含硼氮配位鍵的n型高分子半導體受體材料，其全高分子太陽能電池器件效率與經(jīng)典的酰亞胺類n型高分子半導體相近。
　　該課題組首先闡明了硼氮配位鍵降低共軛高分子LUMO/HOMO能級的基本原理，首次將硼氮配位鍵引入到n型高分子半導體的分子設計中（Angew. Chem. Int. Ed.， 2015， 54， 3648）。進而提出了兩種用硼氮配位鍵設計n型高分子半導體受體材料的分子設計方法：一是在共軛高分子的重復單元中，用一個硼氮配位鍵取代碳碳共價鍵，使共軛高分子的LUMO/HOMO能級同時降低0.5–0.6eV，將常見的p型高分子半導體給體材料轉(zhuǎn)變?yōu)閚型高分子半導體受體材料（Angew. Chem. Int. Ed.， 2016， 55， 5313）；二是先設計基于硼氮配位鍵的新型缺電子單元——雙硼氮橋聯(lián)聯(lián)吡啶，再用于構(gòu)建n型高分子半導體受體材料（Angew. Chem. Int. Ed.， 2016， 55， 1436）。
　　學習表明，硼氮配位鍵n型高分子半導體具有LUMO軌道離域、LUMO能級可調(diào)的特點（Chem. Sci.， 2016， 7， 6197）�；谠摢毺氐碾娮咏Y(jié)構(gòu)，在得到全高分子太陽電池器件效率6%的同時，實現(xiàn)了光子能量損失0.51 eV，突破了傳統(tǒng)有機太陽能電池光子能量損失最小值0.6eV的極限，也是已知文獻報道的最低值（Adv. Mater.， 2016， 28， 6504)。
　　該工作獲得了科技部“973”項目、國際自然科學基金、中組部“青年千人計劃”和中科院先導計劃等項目的資助。

　　長春應化所在全高分子太陽能電池領(lǐng)域取得系列進展
　　來源:長春應用化學學習所　　編輯:葉瑞優(yōu)長春應化所在全高分子太陽能電池領(lǐng)域取得系列進展  |  責任編輯：蟲子
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